Бум ШІ загострив дефіцит мікросхем / Depositphotos
Прискорений розвиток інфраструктури машинного інтелекту спровокував глобальну нестачу мікросхем для запам’ятовування та сховищ інформації. Потреба у флеш-пам’яті NAND, оперативній пам’яті DRAM і вінчестерах з боку центрів обробки даних і творців систем ШІ зростає настільки інтенсивно, що ресурси для інших сегментів ринку, таких як ПК і смартфони, стають обмеженими.
Про це повідомляє Delo.ua з посиланням на інформацію The Wall Street Journal.
Аналітик Morgan Stanley Джо Мур в останньому звіті схарактеризував ситуацію як “розбіжність між поколіннім попитом і пропозицією”. За його твердженням, індустрія пам’яті переживає найпотужніший підйом за багато років — або, можливо, за всю її історію.
Обмежена наявність вже призвела до різкого підняття цін і рекордних фінансових результатів виробників. Так, Micron відзвітувала про найбільший квартальний дохід і операційний прибуток за всю діяльність компанії, а Samsung прогнозує потрійне збільшення операційного прибутку у четвертому кварталі в річному обчисленні.
Незважаючи на звичайну для таких умов логіку швидкого збільшення випуску, компанії пам’яттєвого сектору цього разу поводяться розсудливо. Галузь добре пам’ятає циклічні кризи, коли раптове зменшення цін спричиняло мільярдні збитки та обвал котирувань. Востаннє подібний сценарій реалізувався у 2023 році, коли Micron, Western Digital, Seagate і SK Hynix показали річні операційні втрати.
Сьогодні ж акції виробників пам’яті стали одними з найбільш привабливих на Уолл-стріт. У 2025 році котирування Micron, Seagate і Western Digital піднялися більш ніж вдвічі, а Sandisk після відділення від Western Digital подорожчала майже вдесятеро. Акції SK Hynix тільки за останні три місяці збільшилися майже на 90%.
Аналітики очікують, що високі ціни на пам’ять і накопичувачі збережуться протягом цього року, підтримуючи ринкові оцінки компаній. Разом з тим вони звертають увагу на структурні зміни попиту. Системи штучного інтелекту, створені Nvidia і AMD, потребують великих обсягів спеціалізованої DRAM, а також формують безпрецедентні масиви даних, які необхідно зберігати.
За оцінкою аналітика Bernstein Марка Ньюмана, сукупні поставки сховищ даних — NAND-флеш-пам’яті та жорстких дисків — будуть зростати в середньому на 19% щорічно протягом наступних чотирьох років. Для порівняння, середній темп приросту за минуле десятиліття становив близько 14%.
Додатковим фактором є прискорення продуктових циклів Nvidia і AMD, які щороку випускають на ринок нові платформи. Збільшення обсягів DRAM в таких системах істотно підвищує їхню продуктивність. За інформацією Nvidia, нові графічні процесори Rubin забезпечують майже втричі більшу пропускну здатність пам’яті порівняно з попереднім поколінням Blackwell.
Основним двигуном цього попиту залишаються рекордні капітальні витрати провідних технологічних компаній. У 2025 році Amazon, Google, Microsoft і Meta сукупно інвестували близько 407 млрд доларів, а аналітики прогнозують збільшення цієї суми до 523 млрд доларів вже цього року.
Незважаючи на оптимістичні прогнози, виробники пам’яті не поспішають з масштабним розширенням потужностей. Лише Seagate планує помітне збільшення капітальних витрат — і то лише для підтримки історичного рівня інвестицій. Sandisk, за оцінками FactSet, збільшить капітальні витрати на 18%, в той час як її доходи зростуть на 44%.
Генеральний директор Sandisk Девід Гекелер зауважує, що відсутність довгострокових контрактів у NAND-індустрії ускладнює прийняття багаторічних інвестиційних рішень. За його словами, виробництво подібних чипів вимагає років будівництва та значних фінансових зобов’язань, тоді як клієнти часто готові фіксувати попит лише на кілька місяців вперед.
Таким чином, попри структурний бум, виробники пам’яті намагаються уникнути повторення болісних циклів минулого, навіть якщо це означає збереження дефіциту на ринку іншої електроніки.
Відзначимо, компанія Samsung Electronics передбачає, що дефіцит поставок мікросхем пам’яті призведе до подальшого росту цін в електронній галузі, в тому числі й на споживчі товари самої компанії.